IGBT транзистор, N-канальний, 650 В, 80 А, 305 Вт, TO-247-3

IKW50N65F5FKSA1

IKW50N65F5
650V високошвидкісний 5 FAST IGBT та діод: IGBT за технологією TRENCHSTOP™ 5 у поєднанні зі швидким та м'яким антипаралельним діодом RAPID 1.

Особливості та переваги:
- Високошвидкісна технологія F5 TRENCHSTOP™
- Найкраща в своєму класі ефективність у жорстких комутаційних та резонансних топологіях
- Пробивна напруга 650 В
- Низький заряд затвора QG
- IGBT, упакований з швидким та м'яким антипаралельним діодом RAPID 1
- максимальна температура переходу 175°C
- кваліфікований відповідно до JEDEC для цільових застосувань
- Безсвинцеве свинцеве покриття, безгалогенна формовка, відповідає вимогам RoHS
- Повний спектр продукції та моделі PSpice: http://www.infineon.com/igbt/

Заявки:
- Сонячні перетворювачі
- джерела безперебійного живлення
- зварювальні перетворювачі
- Перетворювачі частоти комутації середнього та високого діапазону