Кошик

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 09:00 найближчого робочого дня (завтра, 21.09).

+380 (99) 330-24-88
Vevor
Кошик

Високовольтний напівширокий MOSFET/IGBT 2-канальний 0.4/0.65A SOIC-8

220 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴

  • Під замовлення
  • Оптом і в роздріб
  • Код: 2400877968
clockВідправка з 27 вересня 2026
Високовольтний напівширокий MOSFET/IGBT 2-канальний 0.4/0.65A SOIC-8Під замовлення
220 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

L6384ED013TR із сімейства L6384ED є високовольтним затвором Halbbrücken-Gate для MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit iignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, single-input/invertierend laut Distributor, Cross-Conduction-Schutz, UVLO, instellbare Dead-Time. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40+125 °C unterstützt ine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Генерал
Тип Ґейт-Трайбер
Модель Високовольтні драйвери затворів напівмостового типу
Дизайн nicht інв., unabhängige Eingänge
Технологія МОП-транзистор, IGBT
Форма кріплення SO-8
Кваліфікація Стандартний
Інше
Температурний діапазон -40..+125
Реалізація
Канали 2
Стиль монтажу SMD
Спеціальні пропозиції
Особливість КМОП/ТТЛ
Електричні показники
Піковий струм джерела 0,4 А
Піковий струм стоку 0,65 А
Технічні характеристики виробника
Виробник СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС

 

Високовольтний напівширокий MOSFET/IGBT 2-канальний 0.4/0.65A SOIC-8
Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN9900004368940
RoHSвідповідати
Вага0,001 кг
Дизайннеінвестиційні незалежні вхідні дані
ідентифікатор виробникаL6384ED013TR
Канали2
КаліфікаціяСтандарт
Код ТН ВЕД85423990
МoдельВисоковольтні ворота Хальбрюккен-Гейт-Трайбер
ОсобливістьCMOS/TTL
Піковий струм джерела0.4 A
Піковий струм стоку0.65 A
Спосіб кріпленняSMD
Температурний діапазон-40..+125
ТехнологіяМОП-транзистор, IGBT
ТипДрайвер затвора
Форма монтажаSO-8
Інформація для замовлення
  • Ціна: 220 ₴