Кошик

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 09:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

+380 (99) 330-24-88
Vevor
Кошик

МОП-транзистор, N-канальний, 600 В, 11 А, 125 Вт, 0,38 R, TO-220

245 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴

  • Під замовлення
  • Оптом і в роздріб
  • Код: 4028981426
clockВідправка з 24 вересня 2026
МОП-транзистор, N-канальний, 600 В, 11 А, 125 Вт, 0,38 R, TO-220Під замовлення
245 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Силовий МОП-транзистор
SUPERFET FRFET MOSFET

SUPERFET MOSFET – це перше покоління сімейства високовольтних MOSFET-транзисторів на суперпереході (SJ) від Fairchild Semiconductor, які використовують технологію вирівнювання заряду для забезпечення видатної продуктивності з низьким опором у відкритому стані та меншим зарядом затвора. Ця технологія розроблена для мінімізації втрат у лінії та забезпечення чудової комутаційної продуктивності, швидкості dV/dT та вищої енергії лавинного випромінювання. Тому SUPERFET MOSFET ідеально підходить для імпульсних силових застосувань, таких як PFC, блоки живлення серверів/телекомунікацій, блоки живлення телевізорів FPD, блоки живлення ATX та промислові блоки живлення. Оптимізована рекуперативна потужність діода в корпусі SUPERFET FRFET® MOSFET усуває необхідність у додаткових компонентах та підвищує надійність системи.

Особливості

  • 650 В при ТДж = 150°C
  • Типовий RDS(увімк.) = 320 мОм
  • Тип швидкого відновлення
  • Надзвичайно низький заряд затвора (зазвичай Qg = 40 нКл)
  • Низька ефективна вихідна ємність (зазвичай Coss(eff.) = 95 пФ)
  • 100% протестовано на стійкість до лавин
  • Відповідає вимогам RoHS


Додатки
  • РК/LED/PDP телевізор
  • Сонячний інвертор
  • Освітлення
  • Джерело живлення змінного/постійного струму
Генерал
Технологія N-канал
Форма кріплення ТО-220
Дизайн Неодружений
Базовий номер продукту FCP11N60F
Тип МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель Силовий МОП-транзистор
Режим Покращення
Кваліфікація Стандартний
Електричні показники
УДС 600 V
Ідентифікатор 11.00 А
Загальна кількість 125 Вт
RDS (увімкнено) 380 мОм
тд (увімкнено) 34
тд (вимкнено) 119
Зворотне стягнення 800 нКл
Ugs ±30 В
Vgs(th) 3,0..5,0 В
Інше
Температурний діапазон -55..+150
Реалізація
Стиль монтажу ТТТ.
Матеріал Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник ONSEMI

 

МОП-транзистор, N-канальний, 600 В, 11 А, 125 Вт, 0,38 R, TO-220
Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Размеры
Вага0.0026 кг
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN9900003791169
Id11.00 А
Ptot125 Вт
RDS (вмик.)380 мОм
RoHSвідповідати
UDS600 V
Vgs(th)3.0..5.0 В
td (off)119
td (on)34
Базовий номер продуктуFCP11N60F
ДизайнОдинокий
ідентифікатор виробникаFCP11N60F
КаліфікаціяСтандарт
Код ТН ВЕД85412900
МатеріалSi
МoдельСиловий МОП-транзистор
ОсобливістьВН 600 В
Плата за зворотне відновлення800 нКл
РежимПоліпшення
Спосіб кріпленняTHT
Температурний діапазон-55..+150
ТехнологіяN-канальний
ТипМОП-ТРАНЗИСТОР
Вугс±30 В
Форма монтажаTO-220
Інформація для замовлення
  • Ціна: 245 ₴