MOSFET N-канальний + Z-діод 1000 В 6,5 А 1,6R TO220
233 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 1925753789
Відправка з 23 вересня 2026N-КАНАЛЬНИЙ 1000V - 1.60R - 6.5A - TO-220
Захищений стабілітроном MOSFET SuperMESH™
Опис
Серія SuperMESH™ отримана завдяки екстремальній оптимізації добре зарекомендувавшої себе схеми PowerMESH™ від ST. Окрім значного зниження опору увімкнення, особлива увага приділяється забезпеченню дуже хороших характеристик du/dt для найвимогливіших застосувань. Така серія доповнює повний асортимент високовольтних MOSFET від ST, включаючи революційні продукти MDmesh™.
Особливості:
- Надзвичайно висока здатність до dv/dt
- 100% стійкість до лавини
- Покращена стійкість до електростатичних розрядів
- Дуже низька власна ємність
Додатки
- Застосування для високого струму, комутації
- Ідеально підходить для автономних джерел живлення
| Генерал | |
| Технологія | N-Ch+Z-Dio |
| Форма кріплення | ТО-220 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | STP8NK100Z |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | МОП-транзистор STPOWER |
| Режим | Немає класичних MOSFET/перехідників |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 1000 V |
| Ідентифікатор | 6,50 А |
| Загальна кількість | 160 Вт |
| RDS (увімкнено) | 1,6 Ом |
| тд (увімкнено) | 28 |
| тд (вимкнено) | 59 |
| Зворотне стягнення | 5300 нКл |
| Ugs | ±30 В |
| Vgs(th) | 3,0..5,0 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002573926 |
| Id | 6.50 А |
| Ptot | 160 Вт |
| RDS (вмик.) | 1,6 Ом |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 1000 V |
| Vgs(th) | 3.0..5.0 В |
| td (off) | 59 |
| td (on) | 28 |
| Базовий номер продукту | STP8NK100Z |
| Вага | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | STP8NK100Z |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | ПОТУЖНИЙ MOSFET |
| Плата за зворотне відновлення | 5300 нК |
| Режим | Некласичний MOSFET/тато |
| Спосіб кріплення | THT |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Технологія | N-Ch+Z-Dio |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±30 В |
| Форма монтажа | TO-220 |
- Ціна: 233 ₴