MOSFET, N-канальний, 100 В, 110 А, 150 Вт, 0,007 R, TO-220
235 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 2665367253
Відправка з 23 вересня 2026MOSFET, N-канальний, 100 В, 110 А, 150 Вт, 0,007 R, TO-220Під замовлення
235 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Потужний МОП-транзистор STripFET™ VII DeepGATE™
Ці пристрої використовують рекомендації з проектування 7-го покоління для технології STRipFET™ та мають нову структуру затвора ST.
Отриманий потужний MOSFET має неймовірно низький RDS(on) у всіх корпусах.
Особливості
- Надзвичайно низький опір у увімкненому стані
- 100% протестовано на стійкість до лавин
Додатки
- Перемикання додатків
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | ТО-220 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | STP110N10F7 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | МОП-транзистор STPOWER |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 100 V |
| Ідентифікатор | 110,00 А |
| Загальна кількість | 150 W |
| RDS (увімкнено) | 7 мОм |
| тд (увімкнено) | 25 |
| тд (вимкнено) | 52 |
| Зворотне стягнення | 150 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | ні |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003797116 |
| Id | 110.00 А |
| Ptot | 150 Вт |
| RDS (вмик.) | 7 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 100 V |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 52 |
| td (on) | 25 |
| Базовий номер продукту | STP110N10F7 |
| Вага | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | STP110N10F7 |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | ПОТУЖНИЙ MOSFET |
| Особливість | Немає |
| Плата за зворотне відновлення | 150 nC |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | THT |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 235 ₴