MOSFET, N-канальний, 60 В, 120 А, 0,0033 Rm, D²Pak
223 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 1393196286
Відправка з 23 вересня 2026MOSFET, N-канальний, 60 В, 120 А, 0,0033 Rm, D²PakПід замовлення
223 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
HEXFET Power MOSFET
програми
- Високоефективне синхронне випрямлення в SMPS
- Джерело безперебійного живлення
- Високошвидкісне перемикання живлення
- Жорстко комутовані та високочастотні схеми
переваги
- Покращена стійкість до воріт, лавини та динамічного dV/dt
- Повністю охарактеризована ємність і лавинний SOA
- Покращені можливості корпусних діодів dV/dt та dI/dt
- без свинцю
- Відповідає вимогам RoHS, не містить галогенів
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | D2PAK |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFS3306 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 60 В |
| Ідентифікатор | 120,00 А |
| Загальна кількість | 230 Вт |
| RDS (увімкнено) | 4,2 мОм |
| тд (увімкнено) | 15 |
| тд (вимкнено) | 40 |
| Зворотне стягнення | 34 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Размеры | |
| Вага | 0.0015 кг |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002547866 |
| Id | 120.00 А |
| Ptot | 230 Вт |
| RDS (вмик.) | 4,2 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 60 V |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 40 |
| td (on) | 15 |
| Базовий номер продукту | IRFS3306 |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IRFS3306TRLPBF |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особливість | Низький опір RDSon 5 мОм |
| Плата за зворотне відновлення | 34 nC |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | SMD |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 223 ₴