МОП-транзистор, N-канальний 40 В 195 А 0,00175 R, D²Pak
298 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 685156337
Відправка з 23 вересня 2026МОП-транзистор, N-канальний 40 В 195 А 0,00175 R, D²PakПід замовлення
298 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
HEX-транзистор силовий MOSFET
Особливості
- Покращена стійкість до стробу, лавинного стиснення та динамічної dv/dt стійкості
- Повністю охарактеризована ємність та лавинна SOA
- Покращена здатність dv/dt та dl/dt корпусного діода
- Без свинцю
Додатки
- Високоефективне синхронне випрямлення в SMPS
- Джерело безперебійного живлення
- Високошвидкісне перемикання живлення
- Апаратне високочастотне перемикання
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | D2PAK |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFS3004 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 40 V |
| Ідентифікатор | 195,00 А |
| Загальна кількість | 380 Вт |
| RDS (увімкнено) | 0,00175 Ом |
| тд (увімкнено) | 23 |
| тд (вимкнено) | 90 |
| Зворотне стягнення | 18 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм; LV 40 В |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Размеры | |
| Вага | 0.0015 кг |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003812772 |
| Id | 195.00 А |
| Ptot | 380 Вт |
| RDS (вмик.) | 0,00175 Ом |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 40 V |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| td (off) | 90 |
| td (on) | 23 |
| Базовий номер продукту | IRFS3004 |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IRFS3004TRLPBF |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особливість | Низький опір RDSon 5 мОм; Низька напруга 40 В |
| Плата за зворотне відновлення | 18 nC |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | SMD |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 298 ₴