MOSFET, N-канальний 800 В 4,1 А 125 Вт, TO-220AB
225 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 1522378522
Відправка з 23 вересня 2026MOSFET, N-канальний 800 В 4,1 А 125 Вт, TO-220ABПід замовлення
225 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Технологія HEXFET є ключем до передової лінійки потужних MOSFET-транзисторів міжнародної компанії Rectifier. Ефективна геометрія та унікальна обробка конструкції HEXFET забезпечують дуже низький опір у відкритому стані в поєднанні з високою крутизною та надзвичайною міцністю пристрою.
Пакет TO-220 є універсальним для всіх комерційно-промислових застосувань з рівнем розсіюваної потужності приблизно до 50 Вт. Низький тепловий опір і низька вартість корпусу TO-220 сприяють його широкому розповсюдженню в промисловості.
Особливості
- оцінка повторюваних лавин
- легкість паралельного з'єднання
- швидке перемикання
- прості вимоги до диска
| Генерал | |
| Технологія | Силовий МОП-транзистор |
| Форма кріплення | TO-220AB |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFBE30 |
| Тип | Силовий МОП-транзистор |
| Модель | Силовий МОП-транзистор |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 800 V |
| Ідентифікатор | 4,10 А |
| Загальна кількість | 125 Вт |
| RDS (увімкнено) | 3 Ом |
| тд (увімкнено) | 12 |
| тд (вимкнено) | 82 |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2..4 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | HV 600V |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | ВІШАЙ |
Характеристики
| Размеры | |
|---|---|
| Вага | 0.002 кг |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900000416508 |
| Id | 4.10 А |
| Ptot | 125 Вт |
| RDS (вмик.) | 3 Ом |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 800 V |
| Vgs(th) | 2.4 В |
| td (off) | 82 |
| td (on) | 12 |
| Базовий номер продукту | IRFBE30 |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IRFBE30PBF |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | Силовий МОП-транзистор |
| Особливість | ВН 600 В |
| Виробник | НАЙКРАЩИЙ |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | THT |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Технологія | Силовий МОП-транзистор |
| Тип | Силовий МОП-транзистор |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 225 ₴