MOSFET, N-канальний, 60 В, 195 А, 375 Вт, 0,002R, TO220AB
198 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 2747707209
Відправка з 23 вересня 2026MOSFET, N-канальний, 60 В, 195 А, 375 Вт, 0,002R, TO220ABПід замовлення
198 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Силовий МОП-транзистор HEXFET®
Заявка
- Застосування приводів із щітковими двигунами
- Застосування приводів двигунів BLDC
- Схеми з живленням від батареї
- Напівмостова та повномостова топології
- Застосування синхронного випрямляча
- Блоки живлення в резонансному режимі
- Перемикачі АБО та резервного живлення
- DC/DC та AC/DC перетворювачі
- Інвертори DC/AC
Переваги
- Покращена стійкість до воріт, лавини та динамічного DV/dt
- Повністю охарактеризована ємність і лавинний SOA
- Покращені можливості корпусних діодів dv/dt та di/dt
- Не містить свинцю, відповідає вимогам RoHS
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | TO-220AB |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFB7530 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 60 В |
| Ідентифікатор | 195,00 А |
| Загальна кількість | 375 Вт |
| RDS (увімкнено) | 2 мОм |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,1..3,7 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002573605 |
| Id | 195.00 А |
| Ptot | 375 W |
| RDS (вмик.) | 2 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 60 V |
| Vgs(th) | 2.1..3.7 В |
| Базовий номер продукту | IRFB7530 |
| Вага | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IRFB7530PBF |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особливість | Низький опір RDSon 5 мОм |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | THT |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 198 ₴