МОП-транзистор, P-канал, -100 В -38 А 0.06R, D²Pak
264 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 2731112524
Відправка з 23 вересня 2026МОП-транзистор, P-канал, -100 В -38 А 0.06R, D²PakПід замовлення
264 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IRF5210S, потужний MOSFET HEXFET®
Опис
Особливостями цієї конструкції є робоча температура переходу 150°C, висока швидкість перемикання та покращений показник повторюваної лавинної стійкості. Ці характеристики разом роблять цю конструкцію надзвичайно ефективним та надійним пристроєм для використання в широкому спектрі інших застосувань.
Особливості
- Передова технологія процесу
- Наднизький вхідний опір
- Робоча температура 150°C
- Швидке перемикання
- Дозволено повторювані лавини до Tjmax
- Деякі параметри відрізняються від IRF5210S/L
- П-канал
- Без свинцю
| Генерал | |
| Технологія | P-канал |
| Форма кріплення | D2PAK |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRF5210S |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 100 V |
| Ідентифікатор | 38,00 А |
| Загальна кількість | 170 Вт |
| RDS (увімкнено) | 60 мОм |
| тд (увімкнено) | 14 |
| тд (вимкнено) | 72 |
| Зворотне стягнення | 1180 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | -2,0..-4,0 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | НН 40 В |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Размеры | |
| Вага | 0.002 кг |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002546944 |
| Id | 38.00 А |
| Ptot | 170 Вт |
| RDS (вмик.) | 60 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 100 V |
| Vgs(th) | -2.0.-4.0 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 72 |
| td (on) | 14 |
| Базовий номер продукту | IRF5210S |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IRF5210STRLPBF |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особливість | Низька напруга 40 В |
| Плата за зворотне відновлення | 1180 нК |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | SMD |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Технологія | П-канал |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 264 ₴