МОП-транзистор, N-канальний 75 В 106 А 0.007R, D²Pak
223 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 488023008
Відправка з 23 вересня 2026МОП-транзистор, N-канальний 75 В 106 А 0.007R, D²PakПід замовлення
223 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
HEX-транзистор силовий MOSFET
Цей потужний MOSFET HEXFET використовує найновіші технології обробки для досягнення надзвичайно низького опору у відкритому стані на кожній кремнієвій поверхні. Інші особливості цієї конструкції включають робочу температуру бар'єрного шару 175°C, високу швидкість перемикання та покращений показник стійкості до повторюваних лавин. Ці характеристики роблять цю конструкцію надзвичайно ефективним та надійним компонентом для широкого спектру застосувань.
Особливості
- Передова технологія процесу
- Надзвичайно низький опір у увімкненому стані
- Динамічне значення dv/dt
- Робоча температура 175°C
- Швидке перемикання
- Повністю лавиностійкий
- Без свинцю
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | D2PAK |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRF3808S |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 75 V |
| Ідентифікатор | 106,00 А |
| Загальна кількість | 200 Вт |
| RDS (увімкнено) | 0,007 Ом |
| тд (увімкнено) | 16 |
| тд (вимкнено) | 68 |
| Зворотне стягнення | 340 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | ні |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003809505 |
| Id | 106.00 А |
| Ptot | 200 Вт |
| RDS (вмик.) | 0,007 Ом |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 75 V |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 68 |
| td (on) | 16 |
| Базовий номер продукту | IRF3808S |
| Вага | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IRF3808STRLPBF |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особливість | Немає |
| Плата за зворотне відновлення | 340 нК |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | SMD |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 223 ₴