МОП-транзистор, N-канальний, 24 В, 195 А, 0,0012 R, TO-220
206 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 2606499241
Відправка з 23 вересня 2026МОП-транзистор, N-канальний, 24 В, 195 А, 0,0012 R, TO-220Під замовлення
206 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Додатки
- високоефективне синхронне випрямлення в SMPS
- високошвидкісне перемикання живлення
- джерело безперебійного живлення
- схеми з жорсткою комутацією та високочастотні схеми
Переваги
- покращена стійкість до гейтів, лавин та динамічного dV/dt
- повністю охарактеризована ємність та лавинна SOA
- покращені можливості вимірювання dV/dt та dI/dt для корпусних діодів
- Без свинцю
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | ТО-220 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRF1324 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 24 V |
| Ідентифікатор | 195,00 А |
| Загальна кількість | 300 W |
| RDS (увімкнено) | 1,2 мОм |
| тд (увімкнено) | 17 |
| тд (вимкнено) | 83 |
| Зворотне стягнення | 160 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 1,0..2,5 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм; LV 40 В |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Размеры | |
| Вага | 0.002 кг |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002171023 |
| Id | 195.00 А |
| Ptot | 300 Вт |
| RDS (вмик.) | 1,2 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 24 V |
| Vgs(th) | 1.0..2.5 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 83 |
| td (on) | 17 |
| Базовий номер продукту | IRF1324 |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IRF1324PBF |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особливість | Низький опір RDSon 5 мОм; Низька напруга 40 В |
| Плата за зворотне відновлення | 160 nC |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | THT |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 206 ₴