MOSFET, N-канальний 650 В 8 А 0,19 R, TO-220-Fullpak
344 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 949450597
Відправка з 23 вересня 2026MOSFET, N-канальний 650 В 8 А 0,19 R, TO-220-FullpakПід замовлення
344 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
650V холодний МОП-транзистор C7 потужності
Серія CoolMOS™ C7 має всі переваги швидкоперемикаючих MOSFET-транзисторів із суперпереходом, а також кращу ефективність, менший заряд затвора, просту реалізацію та відмінну надійність.
Особливості
- Підвищена стійкість MOSFET dv/dt
- Краща ефективність завдяки найкращим у своєму класі FOM RDS(on)*Eoss та RDS(on)*Qg
- Найкращий у своєму класі RDS(увімкнено)/корпус
- Легке використання/активація за допомогою виводу драйвера для кращого керування воротами
- Покриття без ПБ, формувальна маса без галогенів
- Відповідає стандартам JEDEC (J-STD20 та JESD22) для промислового застосування
Додатки
Каскади корекції коефіцієнта потужності (PFC) та каскади ШІМ з жорстким перемиканням, наприклад, для комп'ютерів, серверів, телекомунікацій, ДБЖ та сонячних батарей.
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | TO220 Повний пакет |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IPA65R190C7XKSA1 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | OptiMOS |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 650 В |
| Ідентифікатор | 8.00 А |
| Загальна кількість | 30 W |
| RDS (увімкнено) | 0,19 Ом |
| тд (увімкнено) | 11 |
| тд (вимкнено) | 54 |
| Зворотне стягнення | 6,5 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 3,0..4,5 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | HV 600V |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003809383 |
| Id | 8.00 A |
| Ptot | 30 Вт |
| RDS (вмик.) | 0,19 Ом |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 650 V |
| Vgs(th) | 3.0..4.5 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 54 |
| td (on) | 11 |
| Базовий номер продукту | IPA65R190C7XKSA1 |
| Вага | 0,00214157 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IPA65R190C7XKSA1 |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | OptiMOS |
| Особливість | ВН 600 В |
| Плата за зворотне відновлення | 6,5 нК |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | THT |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO220 Fullpak |
Інформація для замовлення
- Ціна: 344 ₴