Високошвидкісна SRAM, 4 Мб (512 К x 8), 3,3 В, 10 нс, TSOP-44

Високошвидкісна статична пам'ять CMOS 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II)

Опис:
ISSI IS61WV5128Bxx — це дуже швидкісні, низькоенергетичні 8-бітні статичні КМОП-пам'яті ємністю 524 288 слів. IS61/64WV5128Bxx виготовлені з використанням високопродуктивної КМОП-технології ISSI. Цей високонадійний процес у поєднанні з інноваційними методами проектування схем забезпечує вищу продуктивність та низьке енергоспоживання пристроїв. Коли CE має високий рівень (вимкнено), пристрій переходить у режим очікування, в якому розсіювання потужності може бути зменшено за допомогою вхідних рівнів КМОП. IS61/64WV5128Bxx працюють від одного джерела живлення. IS61/64WV5128BLL доступні в 36-вивідному корпусі SOJ 400 міл та 44-вивідному корпусі TSOP (тип II).

Особливості:
- Час високошвидкісного доступу: 10 нс
- Низька активна потужність: 85 мВт (типово)
- Низьке енергоспоживання в режимі очікування: 7 мВт (типове) CMOS у режимі очікування
- Одне джерело живлення Vdd від 2,4 В до 3,6 В
- Повністю статична робота: не потрібні тактові сигнали чи оновлення
- Три виходи стану
- Підтримка промислових та автомобільних температур
- Доступний без свинцю