Високошвидкісна SRAM, 4 Мб (256 К x 16), 3,3 В, 10 нс, TSOP-44

Високошвидкісна статична пам'ять CMOS 3,3V 256kx16 10ns TSOP44(II)

Опис:
ISSI IS61WV25616Axx/Bxx — це високошвидкісна статична оперативна пам'ять ємністю 4194304 біт, організована як 262 144 слова по 16 біт. Вона виготовлена з використанням високопродуктивної CMOS-технології ISSI. Цей високонадійний процес у поєднанні з інноваційними методами проектування схем забезпечує високопродуктивні пристрої з низьким енергоспоживанням. Коли CE має високий рівень (вимкнено), пристрій переходить у режим очікування, в якому розсіювання потужності можна зменшити за допомогою вхідних рівнів CMOS. Легке розширення пам'яті забезпечується за допомогою входів Chip Enable та Output Enable, CE та OE. Активний LOW Write Enable (WE) керує як записом, так і читанням пам'яті. Байт даних дозволяє доступ до верхнього байта (UB) та нижнього байта (LB). IS61WV6416DAxx/DBxx упаковані в стандартні JEDEC: 44-контактний TSOP Type II, 44-контактний SOJ 400 міл та 48-контактний Mini BGA (6 мм x 8 мм).

Особливості:
- Час високошвидкісного доступу: 10 нс
- Низька активна потужність: 85 мВт (типово)
- Низьке енергоспоживання в режимі очікування: 7 мВт (типове) CMOS у режимі очікування
- Одне джерело живлення Vdd від 2,4 В до 3,6 В
- Повністю статична робота: не потрібні тактові сигнали чи оновлення
- Три виходи стану
- Підтримка промислових та автомобільних температур
- Доступний без свинцю
- Контроль даних для верхніх та нижніх байтів