Високошвидкісна SRAM, 4 Мб (512 К x 8), 5 В, 10 нс, SO-36J

Високошвидкісна статична CMOS-пам'ять 5V 512kx8 10ns SOJ-36

Опис:
ISSI IS61C5128AL/AS та IS64C5128AL/AS – це високошвидкісні статичні оперативні пам'яті ємністю 4194304 біт, організовані як 524 288 слів по 8 біт. Вони виготовлені з використанням високопродуктивної CMOS-технології ISSI. Цей високонадійний процес у поєднанні з інноваційними методами проектування схем забезпечує час доступу до 12 нс з низьким енергоспоживанням. Коли CE має високий рівень (вимкнено), пристрій переходить у режим очікування, в якому розсіювання потужності можна зменшити за допомогою вхідних рівнів CMOS. Легке розширення пам'яті забезпечується за допомогою входів Chip Enable та Output Enable, CE та OE. Активний LOW Write Enable (WE) керує як записом, так і читанням пам'яті. Байт даних дозволяє доступ до верхнього байта (UB) та нижнього байта (LB). Мікроконтролери IS61C5128AL/AS виготовлені в стандартних корпусах JEDEC: 36-контактний SOJ (400 міл), 32-контактний sTSOP-I, 32-контактний SOP, 44-контактний TSOP-II та 32-контактний TSOP-II.

Особливості:
- Час високошвидкісного доступу: 10 нс
- Низька активна потужність: 150 мВт (типово)
- Низьке енергоспоживання в режимі очікування: 10 мВт (типове) CMOS режим очікування
- Повністю статична робота: не потрібні тактові сигнали чи оновлення
- TTL-сумісні входи та виходи
- Одне джерело живлення 5 В (±10%)
- Доступний у 36-контактному корпусі SOJ (400 міл) та 44-контактному TSOP (тип II)
- Доступні діапазони температур для комерційних, промислових та автомобільних сфер
- Доступний без свинцю