Високошвидкісна SRAM, 4 Мб (256 K x 16), 5 В, 10нс, TSOP-44

Високошвидкісна статична пам'ять CMOS 5V 256kx16 10ns TSOP44(II)

Опис:
ISSI IS61C25616AL/AS та IS64C25616AL/AS – це високошвидкісні статичні оперативні пам'яті ємністю 4194304 біт, організовані як 262 144 слова по 16 біт. Вони виготовлені з використанням високопродуктивної CMOS-технології ISSI. Цей високонадійний процес у поєднанні з інноваційними методами проектування схем забезпечує час доступу до 12 нс з низьким енергоспоживанням. Коли CE має високий рівень (вимкнено), пристрій переходить у режим очікування, в якому розсіювання потужності можна зменшити за допомогою вхідних рівнів CMOS. Легке розширення пам'яті забезпечується за допомогою входів Chip Enable та Output Enable, CE та OE. Активний LOW Write Enable (WE) керує як записом, так і читанням пам'яті. Байт даних дозволяє доступ до верхнього байта (UB) та нижнього байта (LB). Мікроконтролери IS61C25616AL/AS та IS64C25616AL/AS виконані в стандартному 400-міл SOJ з 44-вивідним роз'ємом та 44-вивідним TSOP (тип II) відповідно до стандарту JEDEC.

Особливості:
- Час високошвидкісного доступу: 10 нс
- Низька активна потужність: 150 мВт (типово)
- Низьке енергоспоживання в режимі очікування: 10 мВт (типове) CMOS режим очікування
- Повністю статична робота: не потрібні тактові сигнали чи оновлення
- TTL-сумісні входи та виходи
- Одне джерело живлення 5 В (±10%)
- Доступний у 44-контактному корпусі SOJ та 44-контактному TSOP (тип II)
- Доступні діапазони температур для комерційних, промислових та автомобільних сфер
- Доступний без свинцю