Високошвидкісна SRAM, 4 Мб (512 К x 8), 3,3 В, 10 нс, TSOP-44

Високошвидкісна статична пам'ять CMOS 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II)

Функціональний опис
CY7C1049GN - це високопродуктивний CMOS-пристрій швидкої статичної пам'яті, організований у вигляді 512К слів по 8 біт. Запис даних виконується подачею низького рівня на входи Chip Enable (CE) і Write Enable (WE), при цьому дані подаються на виводи I/O0 - I/O7, а адреса - на виводи A0 - A18. Зчитування даних виконується шляхом встановлення низького рівня на входах Chip Enable (CE) і Output Enable (OE) і подачі необхідної адреси на адресні лінії. Зчитані дані доступні на лініях вводу/виводу (I/O0 - I/O7). Всі входи/виходи (I/O0 - I/O7) переходять у високоімпедансний стан під час наступних подій:
- Вибір пристрою скасовано (CE HIGH)
- Керуючий сигнал OE деактивовано

Особливості
- Висока швидкість: tAA = 10 нс
- Низькі активні та резервні струми
- Активний струм: ICC = 38 мА типовий
- Струм у режимі очікування: ISB2 = 6 мА типовий
- Діапазон робочої напруги: від 2,2 В до 3,6 В
- Збереження даних 1,0 В
- TTL-сумісні входи та виходи
- 44-контактний безсвинцевий TSOP II