SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 55ns, SOP-32

4 Мбіт/с (512 К × 8) статична оперативна пам'ять, LLPow як 5 В 512 кДж x 8 55 нс SOP32

Опис:
CY62148E — це високопродуктивна статична оперативна пам'ять CMOS, організована як 512 тисяч слів по 8 біт. Цей пристрій має вдосконалену схемотехніку для забезпечення наднизького струму в режимі очікування. Це ідеально підходить для забезпечення тривалості роботи від батареї (MoBL?) у портативних пристроях. Пристрій також має функцію автоматичного вимкнення живлення, яка значно зменшує споживання енергії, коли адреси не перемикаються. Переведення пристрою в режим очікування зменшує споживання енергії більш ніж на 99%, коли вибір не знято (CE HIGH). Вісім вхідних і вихідних контактів (I/O0 - I/O7) переводяться у стан високого імпедансу, коли вибір пристрою не знято (CE HIGH), виходи вимикаються (OE HIGH) або під час активної операції запису (CE LOW та WE LOW). Для запису на пристрій необхідно встановити низький рівень на входи Chip Enable (CE) та Write Enable (WE). Дані на восьми контактах вводу/виводу (I/O0 - I/O7) потім записуються в місце, вказане на адресних контактах (A0 - A18). Для зчитування з пристрою необхідно встановити низький рівень сигналів увімкнення мікросхеми (CE) та вихідного сигналу (OE), одночасно встановивши високий рівень сигналу увімкнення запису (WE). За цих умов вміст комірки пам'яті, визначеної адресними контактами, з'являється на контактах вводу/виводу. Пристрій CY62148E підходить для взаємодії з процесорами, що мають рівні TTL-I/P. Він не підходить для процесорів, що потребують рівнів CMOS-I/P.

Особливості:
- Дуже висока швидкість: 45 нс
- Діапазон напруги: від 4,5 В до 5,5 В
- Сумісний з CY62148B за виводами
- Надзвичайно низьке енергоспоживання в режимі очікування
- Типовий струм у режимі очікування: 1 мкА
- Максимальний струм у режимі очікування: 7 мкА (промисловий)
- Ультранизька активна потужність
- Типовий активний струм: 2,0 мА при f = 1 МГц
- Легке розширення пам'яті за допомогою функцій CE та OE
- Автоматичне вимкнення живлення після зняття вибору
- Комплементарний металоксид-напівпровідник (КМОП) для оптимальної швидкості та потужності
- Доступний у безсвинцевому 32-вивідному корпусі тонкого малогабаритного корпусу (TSOP) II та 32-вивідному корпусі малогабаритної інтегральної схеми (SOIC)[1]