SiC-MOSFET 650V 30A 0R045 HiP247-4
760 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 1933777449
Відправка з 13 вересня 2026
SiC-MOSFET 650V 30A 0R045 HiP247-4Під замовлення
760 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Автомобільний карбід-кремнієвий силовий MOSFET 650 В, типовий опір 45 мОм, 30 А в корпусі HiP247-4
Dieser SiC-Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovative SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Bauelement zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen Kapazitäten und einer sehr hohen Schaltfrequenz, was die Anwendungsleistung
in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz sowie eine Verringerung von Systemgröße und Gewicht verbessert.
| Генерал | |
| Модель | STPOWER SiC G3 |
| Дизайн | Неодружений |
| Форма кріплення | HiP247-4 |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Електричні показники | |
| УДС | 650 В |
| Ідентифікатор | 30 A |
| RDS (увімкнено) | 45 мОм |
| Загальна кількість | 240 W |
| тд (увімкнено) | 13 |
| тд (вимкнено) | 29.6 |
| Зворотне стягнення | 37,5 нКл |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+200 |
| Реалізація | |
| Матеріал | SiC |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004360012 |
| Id | 30 А |
| Ptot | 240 Вт |
| RDS (вмик.) | 45 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 650 V |
| td (off) | 29.6 |
| td (on) | 13 |
| Вага | 0,008 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | SCT040W65G3-4AG |
| Каліфікація | AEC-Q101 |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | SiC |
| Мoдель | STPOWER SiC G3 |
| Плата за зворотне відновлення | 37,5 нК |
| Температурний діапазон | -55..+200 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | HiP247-4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 760 ₴