SiC-MOSFET 1200 В 56 А 0R027 HiP247-4
1 455 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 3345485827
Відправка з 13 вересня 2026
SiC-MOSFET 1200 В 56 А 0R027 HiP247-4Під замовлення
1 455 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Силовий MOSFET атомарного класу з карбіду кремнію, 1200 В, типовий опір 27 мОм, 56 А в корпусі HiP247-4
Dieser SiC-Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovative SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Bauelement zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz sowie eine Verringerung von Systemgröße und Gewicht verbessert.
| Генерал | |
| Модель | STPOWER SiC G3 |
| Дизайн | Неодружений |
| Форма кріплення | HiP247-4 |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Електричні показники | |
| УДС | 1200 В |
| Ідентифікатор | 56 А |
| RDS (увімкнено) | 27 мОм |
| Загальна кількість | 389 Вт |
| тд (увімкнено) | 16.4 |
| тд (вимкнено) | 32,5 |
| Зворотне стягнення | 73 нКл |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+200 |
| Реалізація | |
| Матеріал | SiC |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004360029 |
| Id | 56 A |
| Ptot | 389 В |
| RDS (вмик.) | 27 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 1200 V |
| td (off) | 32.5 |
| td (on) | 16.4 |
| Вага | 0,008 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | SCT025W120G3-4AG |
| Каліфікація | AEC-Q101 |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | SiC |
| Мoдель | STPOWER SiC G3 |
| Плата за зворотне відновлення | 73 nC |
| Температурний діапазон | -55..+200 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | HiP247-4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 455 ₴