SiC-MOSFET 1200 В 26 А 0R09 TO247-4
672 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 2243302998
Відправка з 13 вересня 2026
SiC-MOSFET 1200 В 26 А 0R09 TO247-4Під замовлення
672 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IMZ120R090M1H
МОП-транзистор CoolSiC™ 1200 В SiC Trench у корпусі TO247-4
Дискретний MOSFET-транзистор CoolSiC™ з 1200 В і 90 мОм G1 в TO247-4-Gehäuse базується на високосучасному Trench-Halbleiterprozess, der darauf optimiert ist, Leistung und Zuverlässigkeit zu vereinen. Der SiC-MOSFET bietet die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementkapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu finden sind, keine Rückwärtserholungsverluste der internen kommutationsfesten Body-Diode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellwertfreie Einschaltcharakteristik.
Маркування
12M1H090
| Генерал | |
| Модель | CoolSiC G1 |
| Дизайн | Неодружений |
| Форма кріплення | TO-247-4 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Електричні показники | |
| УДС | 1200 В |
| Ідентифікатор | 26 А |
| RDS (увімкнено) | 90 мОм |
| Загальна кількість | 115 Вт |
| тд (увімкнено) | 5.4 |
| тд (вимкнено) | 11.5 |
| Зворотне стягнення | 21 нКл |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Матеріал | SiC |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004359993 |
| Id | 26 A |
| Ptot | 115 W |
| RDS (вмик.) | 90 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 1200 V |
| td (off) | 11.5 |
| td (on) | 5.4 |
| Вага | 0,008 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IMZ120R090M1HXKSA1 |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | SiC |
| Мoдель | CoolSiC G1 |
| Плата за зворотне відновлення | 21 нКл |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | TO-247-4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 672 ₴