
SiC-MOSFET 1200 В 56 А 0R03 TO247-4
1 339 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 343280286
Відправка з 13 вересня 2026+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
CoolSiC™ 1200V SiC-транзистор MOSFET
Кремнієво-карбідний MOSFET
Меркмале.
- Дуже сильний сплеск перепадів
- Schwellwertfreie Durchlasskennlinie
- Großer Gate-Source-Spannungsbereich
- Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 В
- 0-V-Abschalt-Gatespannung für eine einfache und uncomplizierte Gate-Ansteuerung
- Vollständig steuerbares dV/dt
- Надійний корпусний діод для комунікації
- Temperaturunabhängige Ausschaltverluste
- Sense-Pin для оптимізації Schaltleistung
Vorteile
- Зменшення ефективності
- Ermöglicht höhere Frequenzen
- Високий потужний
- Зменшений охолоджувальний вал
- Reduzierung der Systemkomplexität und der Kosten
| Генерал | |
| Модель | CoolSiC G1 |
| Дизайн | Неодружений |
| Форма кріплення | TO-247-4 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Електричні показники | |
| УДС | 1200 В |
| Ідентифікатор | 56 А |
| RDS (увімкнено) | 30 мОм |
| Загальна кількість | 227 Вт |
| тд (увімкнено) | 7.7 |
| тд (вимкнено) | 17.3 |
| Зворотне стягнення | 63 нКл |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Матеріал | SiC |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |

Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004359986 |
| Id | 56 A |
| Ptot | 227 W |
| RDS (вмик.) | 30 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 1200 V |
| td (off) | 17.3 |
| td (on) | 7.7 |
| Вага | 0,006 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IMZ120R030M1HXKSA1 |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | SiC |
| Мoдель | CoolSiC G1 |
| Плата за зворотне відновлення | 63 nC |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | TO-247-4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 339 ₴
