SiC-MOSFET 1200 В 26 А 0R09 TO247
643 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 843867661
Відправка з 13 вересня 2026
SiC-MOSFET 1200 В 26 А 0R09 TO247Під замовлення
643 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Меркмале.
- Дуже сильний сплеск перепадів
- Schwellwertfreie Durchlasskennlinie
- Großer Gate-Source-Spannungsbereich
- Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 В
- 0-V-Abschalt-Gatespannung für eine einfache und uncomplizierte Gate-Ansteuerung
- Vollständig steuerbares dV/dt
- Надійний корпусний діод для комунікації
- Temperaturunabhängige Ausschaltverluste
МОП-транзистор CoolSiC™ 1200 В SiC Trench
Карбідкремнієвий MOSFET
Vorteile
- Зменшення ефективності
- Ermöglicht höhere Frequenzen
- Високий потужний
- Зменшений охолоджувальний вал
- Reduzierung der Systemkomplexität und der Kosten
Маркування: 12M1H090
Дискретний MOSFET CoolSiC™ 1200 В, 90 мО G1 в TO247-3-Gehäuse базується на високосучасному Trench-Halbleiterprozess, der Leistung und Zuverlässigkeit miteinander verbindet. Der SiC-MOSFET bietet die niedrigsten Gate-Ludungs- und Bauelementekapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu finden sind, keine Reverse-Recovery-Verluste der internen kommutierungsfesten Body-Diode, temperaturunabhängig niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie On-State-Charakteristik.
| Генерал | |
| Модель | CoolSiC G1 |
| Дизайн | Неодружений |
| Форма кріплення | TO-247-3 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Електричні показники | |
| УДС | 1200 В |
| Ідентифікатор | 26 А |
| RDS (увімкнено) | 90 мОм |
| Загальна кількість | 115 Вт |
| тд (увімкнено) | 5.2 |
| тд (вимкнено) | 11.5 |
| Зворотне стягнення | 21 нКл |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Матеріал | SiC |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004359979 |
| Id | 26 A |
| Ptot | 115 W |
| RDS (вмик.) | 90 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 1200 V |
| td (off) | 11.5 |
| td (on) | 5.2 |
| Вага | 0,008 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IMW120R090M1HXKSA1 |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | SiC |
| Мoдель | CoolSiC G1 |
| Плата за зворотне відновлення | 21 нКл |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | TO-247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 643 ₴