SiC-MOSFET 1200 В 56 А 0R03 TO247
1 354 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 2743892677
Відправка з 13 вересня 2026
SiC-MOSFET 1200 В 56 А 0R03 TO247Під замовлення
1 354 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IMW120R030M1
МОП-транзистор CoolSiC™ 1200 В SiC Trench у корпусі TO247-3
Дискретний MOSFET-транзистор CoolSiC™ з 1200 В і 30 мОм G1 в TO247-3-Gehäuse базується на високосучасному Trench-Halbleiterprozess, der darauf optimiert ist, Leistung und Zuverlässigkeit zu vereinen. Der SiC-MOSFET bietet die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementkapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu finden sind, keine Rückwärtserholungsverluste der internen kommutationsfesten Body-Diode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellwertfreie Einschaltcharakteristik.
| Генерал | |
| Модель | CoolSiC G1 |
| Дизайн | Неодружений |
| Форма кріплення | TO-247-3 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Електричні показники | |
| УДС | 1200 В |
| Ідентифікатор | 56 А |
| RDS (увімкнено) | 30 мОм |
| Загальна кількість | 227 Вт |
| тд (увімкнено) | 7 |
| тд (вимкнено) | 17 |
| Зворотне стягнення | 63 нКл |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Матеріал | SiC |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004360005 |
| Id | 56 A |
| Ptot | 227 W |
| RDS (вмик.) | 30 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 1200 V |
| td (off) | 17 |
| td (on) | 7 |
| Вага | 0,008 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IMW120R030M1HXKSA1 |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | SiC |
| Мoдель | CoolSiC G1 |
| Плата за зворотне відновлення | 63 nC |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | TO-247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 354 ₴