Каскодний польовий транзистор SiC, 650 В 85 А, Rdson 0,027R, TO-220-3L

650V SiC-MOSFET-каскад 27mR

Опис:
Каскодні продукти United Silicon Carbide поєднують високопродуктивні JFET-транзистори G3 SiC з оптимізованим для каскоду MOSFET, що дозволяє створити єдиний на ринку стандартний SiC-пристрій із керуванням затвором. Ця серія демонструє наднизький заряд затвора, а також найкращі характеристики зворотного відновлення серед усіх пристроїв з аналогічними характеристиками. Ці пристрої чудово підходять для комутації індуктивних навантажень та будь-яких застосувань, що потребують стандартного керування затвором.

Особливості:
- Типовий опір увімкнення Rds(on) 27 мОм
- Максимальна робоча температура 175°C
- Відмінне зворотне відновлення
- Низький заряд на вході
- Низька власна ємність
- Захист від електростатичного розряду, клас HBM 2

Типові застосування
- Зарядка електромобіля
- Фотоелектричні інвертори
- Блоки живлення з перемикачем режимів
- Модулі корекції коефіцієнта потужності
- Моторні приводи
- Індукційний нагрів