Каскодний польовий транзистор SiC, 1200 В, 18,4 А, Rdson 0,15R, TO-247-4L

1200В SiC-MOSFET-каскад 150мР TO-247-4L

Опис:
Каскодні продукти United Silicon Carbide поєднують високопродуктивні швидкі JFET-транзистори F3 SiC з оптимізованим для каскоду MOSFET, що дозволяє створити єдиний на ринку стандартний SiC-пристрій для керування затвором. Ця серія демонструє дуже швидке перемикання завдяки 4-вивідному корпусу TO-247 та найкращі характеристики зворотного відновлення серед усіх пристроїв з аналогічними характеристиками. Ці пристрої чудово підходять для комутації індуктивних навантажень та будь-яких застосувань, що потребують стандартного керування затвором.

Особливості:
- Типовий опір увімкнення Rds(on) 150 мОм
- Максимальна робоча температура 175°C
- Відмінне зворотне відновлення
- Низький заряд на вході
- Низька власна ємність
- Захист від електростатичного розряду, клас HBM 2
- Пакет TO-247-4L для швидкого перемикання, чистих форм сигналу затвора

Типові застосування
- Зарядка електромобіля
- Фотоелектричні інвертори
- Блоки живлення з перемикачем режимів
- Модулі корекції коефіцієнта потужності
- Моторні приводи
- Індукційний нагрів