Каскодний польовий транзистор SiC, 1200 В 18,4 А, Rdson 0,15R, D²Pak-7L

SiC-каскодний польовий транзистор, 1200 В, 18,4 А, Rdson 0,15R D²Pak-7L

Опис:
Цей SiC FET-пристрій базується на унікальній конфігурації схеми «каскода», в якій нормально увімкнений SiC JFET спільно упакований з Si MOSFET, утворюючи нормально вимкнений SiC FET-пристрій. Стандартні характеристики керування затвором пристрою дозволяють йому бути справжньою «заміною» Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET або Si суперперехідними пристроями. Доступний у корпусі D2PAK-7L, цей пристрій демонструє наднизький заряд затвора та виняткові характеристики зворотного відновлення, що робить його ідеальним для комутації індуктивних навантажень та будь-якого застосування, що вимагає стандартного керування затвором.

Особливості:
Типовий опір RDS (увімкнено), тип 150 мР
- Максимальна робоча температура 175°C
- Відмінне зворотне відновлення
- Низький заряд на вході
- Низька власна ємність
- Захист від електростатичного розряду, клас HBM 2
- Корпус D²Pak-7L для швидшого перемикання, чистих форм сигналів затвора

Заявки:
- Зарядка електромобілів
- Фотоелектричні інвертори
- Блоки живлення з перемикачем режимів
- Модулі корекції коефіцієнта потужності
- Моторні приводи
- Індукційний нагрів