SiC подвійний діод Шотткі, 650В, 24А (2х12), TO247

thinQ!™ SiC діод Шотткі 5-го покоління

5-те покоління ThinQ!™ представляє передову технологію Infineon для діодів з бар'єром Шотткі на основі SiC. Запатентований процес дифузійного паяння Infineon, вже представлений у G3, тепер поєднується з новим, більш компактним дизайном та технологією тонких пластин. Результатом є нове сімейство продуктів з покращеною ефективністю за всіх умов навантаження завдяки як покращеним тепловим властивостям, так і нижчому значенню потужності (Qc x Vf). Нове thinQ!™ покоління 5 було розроблено для доповнення сімейств CoolMOS™ на 650 В: це гарантує виконання найвищих вимог до застосування в цьому діапазоні напруг.

Особливості

- революційний напівпровідниковий матеріал - карбід кремнію
- відмінна поведінка при перемиканні
- немає зворотного відновлення / немає прямого відновлення
- позитивний температурний коефіцієнт
- висока стійкість до перенапруги
- безсвинцевий свинець; відповідає вимогам RoHS
- кваліфіковані відповідно до JEDEC

- Пробивна напруга перевірена при 11 мА2)
- оптимізовано для роботи при високих температурах

Переваги

- підвищення ефективності системи порівняно з Si діодами
- Економія вартості/розміру системи завдяки зменшенню потреб в охолодженні
- забезпечує рішення з більш високою частотою / підвищеною щільністю потужності
- вища надійність системи завдяки нижчим робочим температурам
- знижена електромагнітна сумісність

Додатки

- Імпульсні джерела живлення
- Корекція коефіцієнта потужності
- Сонячний інвертор
- джерела безперебійного живлення