IGBT транзистор, N-CH, 650 В, 90 А, 395 Вт, TO-247-4

IKZ75N65EH5XKSA1

IKZ75N65EH5
650V високошвидкісний 5-канальний IGBT та діод: IGBT за технологією TRENCHSTOP™ 5 у поєднанні зі швидким та м'яким антипаралельним діодом RAPID 1.

Особливості та переваги:
- Високошвидкісна технологія H5 TRENCHSTOP™
- Комутація з наднизькими втратами завдяки виводу емітера Кельвіна
комбінація з TRENCHSTOPTM 5
- Найкраща в своєму класі ефективність у жорстких комутаційних та резонансних топологіях
- Заміна попереднього покоління IGBT за принципом «підключи та працюй»
- Пробивна напруга 650 В
- Низький заряд затвора QG
- IGBT, упакований з швидким та м'яким антипаралельним діодом RAPID 1
- максимальна температура переходу 175°C
- кваліфікований відповідно до JEDEC для цільових застосувань
- Безсвинцеве свинцеве покриття, безгалогенна формовка, відповідає вимогам RoHS
- Повний спектр продукції та моделі PSpice: http://www.infineon.com/igbt/

Заявки:
- Сонячні перетворювачі
- джерела безперебійного живлення
- зварювальні перетворювачі
- Перетворювачі частоти комутації середнього та високого діапазону