IGBT транзистор, 650 В, 80 А, 536 Вт, TO-247

Нове сімейство L5 IGBT від Infineon з низькою напругою насичення (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT спеціально оптимізовано для низьких частот комутації в діапазоні від 50 Гц до 20 кГц. Оптимізація профілю носіїв інноваційної технології тонких пластин TRENCHSTOP™ 5 товщиною 55 мкм дозволяє зменшити втрати провідності до суттєво низького рівня - 1,05 В для IGBT 30 А та 1,10 В для IGBT 75 А.

Огляд функцій

• Найнижча напруга насичення V CE(sat) лише 1,05 В
• Низькі втрати на перемикання 1,6 мДж при 25°C для IGBT 30A
• Висока термостабільність електричних параметрів - дрейф лише 2% при збільшенні T j від 25°C до 175°C

• Вища ефективність для 50 Гц
• Довший термін служби та вища надійність IGBT
• Висока надійність конструкції завдяки стабільним тепловим властивостям