IGBT транзистор, N-CH, 1200В, 50А, 349Вт, TO-247
616 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 4161032097
Відправка з 13 вересня 2026
IKW25N120T2
1200 В низьковтратний двокомпонентний IGBT та діод: IGBT за технологією TRENCHSTOP™ з м'яким, швидким відновленням антипаралельного емітерно-керованого діода
- Час витримки короткого замикання - 10 мкс
- Розроблено для:
- Перетворювачі частоти
- Джерело безперебійного живлення
- TrenchStop® 2-го покоління для застосувань 1200 В пропонує:
- дуже щільний розподіл параметрів
- висока міцність, температурна стабільність
- Легке паралельне з'єднання завдяки позитивному температурному коефіцієнту в VCE(sat)
- Низький рівень електромагнітних перешкод
- Низький заряд затвора
- Дуже м'який, швидковідновлюваний антипаралельний емітерно-керований високовольтний діод
- Кваліфікований відповідно до JEDEC1 для цільових застосувань
- Свинцеве покриття без вмісту свинцю; відповідає вимогам RoHS
Повний спектр продукції та моделі PSpice: http://www.infineon.com/igbt/
| Генерал | |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Дизайн | IGBT-чіпи |
| Технологія | N-CH |
| Форма кріплення | ТО-247 |
| Електричні показники | |
| Уцео | 1200 В |
| Ік | 50 A |
| Загальна кількість | 349 Вт |
| тд (увімкнено) | 27 |
| тд (вимкнено) | 265 |
| Ікпулс | 100 A |
| Уге(й) | 5,2 В |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900001159152 |
| Ic | 50 А |
| Icpuls | 100 A |
| Ptot | 349 W |
| RoHS | відповідати |
| Uceo | 1200 V |
| Uge(th) | 5.2 V |
| td (off) | 265 |
| td (on) | 27 |
| Вага | 0,006 кг |
| Дизайн | IGBT-чипи |
| ідентифікатор виробника | IKW25N120T2 |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Технологія | N-CH |
| Тип | IGBT-транзистори |
| Форма монтажа | ТО-247 |
- Ціна: 616 ₴