1-канальний MOSFET/IGBT низькочастотний, 14A, 8-SOIC-EP
805 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 1290738682
Відправка з 13 вересня 2026
1-канальний MOSFET/IGBT низькочастотний, 14A, 8-SOIC-EPПід замовлення
805 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IXDN614SI із сімейства IXDN614 — це пристрій нижнього бічного затвора для MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 14 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 18 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
| Генерал | |
| Тип | Ґейт-Трайбер |
| Модель | Низький бічний воротний трейбер |
| Дизайн | не інвертується |
| Технологія | МОП-транзистор, IGBT |
| Форма кріплення | SOIC-EP-8 |
| Електричні показники | |
| Напруга живлення | 4,5..35 В постійного струму |
| тд (увімкнено) | 25 |
| тд (вимкнено) | 18 |
| Піковий струм джерела | 14 А |
| Піковий струм стоку | 14 А |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 ТДж |
| Реалізація | |
| Канали | 1 |
| Стиль монтажу | SMD |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | VIL/VIH 0,8/3,0 В |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | LITTELFUSE |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004368094 |
| RoHS | відповідати |
| td (off) | 18 |
| td (on) | 25 |
| Вага | 8,0E-5 кг |
| Дизайн | не інвертується |
| ідентифікатор виробника | IXDN614SI |
| Канали | 1 |
| Код ТН ВЕД | 85423990 |
| Мoдель | Низкобкові ворота Трейбер |
| Напруга живлення | 4,5-35 В постійного струму |
| Особливість | ВІТ/ВІГ 0,8/3,0 В |
| Піковий струм джерела | 14 А |
| Піковий струм стоку | 14 А |
| Спосіб кріплення | SMD |
| Температурний діапазон | -55..+150 ТДж |
| Технологія | МОП-транзистор, IGBT |
| Тип | Драйвер затвора |
| Форма монтажа | SOIC-EP-8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 805 ₴