Кошик

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 09:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

+380 (99) 330-24-88
Vevor
Кошик

МОП-транзистор, N-канальний, 600 В, 52 А, 481 Вт, 0,072 R, TO-247

789 ₴

Показати оптові ціни
  • Під замовлення
  • Оптом і в роздріб
  • Код: 2674601495
clockВідправка з 14 вересня 2026
МОП-транзистор, N-канальний, 600 В, 52 А, 481 Вт, 0,072 R, TO-247
МОП-транзистор, N-канальний, 600 В, 52 А, 481 Вт, 0,072 R, TO-247Під замовлення
789 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Силовий МОП-транзистор
SUPERFET II, FRFET

MOSFET SUPERFET II – це абсолютно нове сімейство високовольтних MOSFET-транзисторів із суперпереходом (SJ) від ON Semiconductor, яке використовує технологію вирівнювання заряду для забезпечення наднизького опору у відкритому стані та нижчого заряду затвора. Ця технологія розроблена для мінімізації втрат у лінії та забезпечення чудових характеристик перемикання, швидкості dV/dT та вищої енергії лавинного випромінювання. Тому MOSFET SUPERFET II ідеально підходить для застосувань імпульсного живлення, таких як PFC, блоки живлення серверів/телекомунікацій, блоки живлення телевізорів FPD, блоки живлення ATX та промислові блоки живлення. Оптимізована продуктивність діодного переходу MOSFET-транзисторів SUPERFET II FRFET® усуває потребу в додаткових компонентах та підвищує надійність системи.

Особливості

  • 650 В при ТДж = 150°C
  • Типовий RDS(увімк.) = 65 мОм
  • Надзвичайно низький заряд затвора (зазвичай Qg = 165 нКл)
  • Низька ефективна вихідна ємність (зазвичай Coss(eff.) = 441 пФ)
  • 100% протестовано на стійкість до лавин
  • Не містить свинцю та відповідає вимогам RoHS


Додатки
  • Блоки живлення для телекомунікацій/серверів
  • Промислові джерела живлення
  • Зарядний пристрій для електромобілів
  • ДБЖ/сонячна енергія
Генерал
Технологія N-канал
Форма кріплення ТО-247
Дизайн Неодружений
Базовий номер продукту ФЧ072Н60Ф
Тип МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель Силовий МОП-транзистор
Режим Покращення
Кваліфікація Стандартний
Електричні показники
УДС 600 V
Ідентифікатор 52.00 А
Загальна кількість 481 Вт
RDS (увімкнено) 72 мОм
тд (увімкнено) 43
тд (вимкнено) 140
Зворотне стягнення 1290 нКл
Ugs ±30 В
Vgs(th) 3,0..5,0 В
Інше
Температурний діапазон -55..+150
Реалізація
Стиль монтажу ТТТ.
Матеріал Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник ONSEMI

 

МОП-транзистор, N-канальний, 600 В, 52 А, 481 Вт, 0,072 R, TO-247
Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN9900003791138
Id52.00 А
Ptot481 В
RDS (вмик.)72 мОм
RoHSвідповідати
UDS600 V
Vgs(th)3.0..5.0 В
td (off)140
td (on)43
Базовий номер продуктуFCH072N60F
Вага0,024 кг
ДизайнОдинокий
ідентифікатор виробникаFCH072N60F
КаліфікаціяСтандарт
Код ТН ВЕД85412900
МатеріалSi
МoдельСиловий МОП-транзистор
ОсобливістьВН 600 В
Плата за зворотне відновлення1290 нКл
РежимПоліпшення
Спосіб кріпленняTHT
Температурний діапазон-55..+150
ТехнологіяN-канальний
ТипМОП-ТРАНЗИСТОР
Вугс±30 В
Форма монтажаТО-247
Інформація для замовлення
  • Ціна: 789 ₴