
MOSFET, N-канальний, 650 В, 20,7 А, 0,16 R, TO-220
487 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 3657191333
Відправка з 14 вересня 2026+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET
особливості
- Низький питомий опір у увімкненому стані (RDS(on)*A)
- Дуже низьке накопичення енергії у вихідній ємності (Eoss) при 400 В
- Низький заряд затвора (Qg)
- Перевірена в польових умовах якість CoolMOS™
- Технологія CoolMOS™ виробляється компанією Infineon з 1998 року.
Вигоди:
- Висока ефективність і щільність потужності
- Відмінне співвідношення ціна/продуктивність
- висока надійність
- простота використання
Цільові програми:
- споживач
- Живлення ПК
- адаптер
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | ТО-220 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | СПП20Н65Ц3ХКСА1 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | Силовий МОП-транзистор |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 650 В |
| Ідентифікатор | 20,70 А |
| Загальна кількість | 208 Вт |
| RDS (увімкнено) | 160 мОм |
| тд (увімкнено) | 10 |
| тд (вимкнено) | 67 |
| Зворотне стягнення | 11000 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 3,0..5,0 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | HV 600V |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |

Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002572905 |
| Id | 20.70 А |
| Ptot | 208 W |
| RDS (вмик.) | 160 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 650 V |
| Vgs(th) | 3.0..5.0 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 67 |
| td (on) | 10 |
| Базовий номер продукту | SPP20N65C3XKSA1 |
| Вага | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | SPP20N65C3XKSA1 |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | Силовий МОП-транзистор |
| Особливість | ВН 600 В |
| Плата за зворотне відновлення | 11000 нК |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | THT |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 487 ₴
