Кошик

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 09:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

+380 (99) 330-24-88
Vevor
Кошик

МОП-транзистор, N-канальний, 650 В, 21 А, 0,18 R, TO-220

495 ₴

Показати оптові ціни
  • Під замовлення
  • Оптом і в роздріб
  • Код: 3829861482
clockВідправка з 14 вересня 2026
МОП-транзистор, N-канальний, 650 В, 21 А, 0,18 R, TO-220
МОП-транзистор, N-канальний, 650 В, 21 А, 0,18 R, TO-220Під замовлення
495 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

SiHP22N60E, силовий MOSFET серії E

Особливості:
- Низький показник добротності (FOM) Ron x Qg
- Низька вхідна ємність (Ciss)
- Зменшені втрати на комутацію та провідність
- Ультранизький заряд затвора (Qg)
- Номінальна енергія лавини (UIS)
- Категоризація матеріалів: визначення відповідності див. на сайті www.vishay.com

Заявки:
- Блоки живлення для серверів та телекомунікацій
- Імпульсні джерела живлення (ІМП)
- Джерела живлення з корекцією коефіцієнта потужності (PFC)
- Освітлення
- Високоінтенсивний розряд (HID)
- Флуоресцентне баластне освітлення
- Промисловий
- Зварювання
- Індукційний нагрів
- Моторні приводи
- Зарядні пристрої для акумуляторів
- Відновлювана енергетика
- Сонячна енергетика (фотоелектричні інвертори)

Генерал
Технологія N-канал
Форма кріплення ТО-220
Дизайн Неодружений
Базовий номер продукту SIHP22N60E
Тип МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель TrenchFET
Режим Покращення
Кваліфікація Стандартний
Електричні показники
УДС 650 В
Ідентифікатор 21.00 А
Загальна кількість 227 Вт
RDS (увімкнено) 180 мОм
Ugs ±30 В
Vgs(th) 2,0..4,0 В
Інше
Температурний діапазон -55..+150
Реалізація
Стиль монтажу ТТТ.
Матеріал Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник ВІШАЙ

 

МОП-транзистор, N-канальний, 650 В, 21 А, 0,18 R, TO-220
МОП-транзистор, N-канальний, 650 В, 21 А, 0,18 R, TO-220
Характеристики
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN9900002517715
Id21.00 А
Ptot227 W
RDS (вмик.)180 мОм
RoHSвідповідати
UDS650 V
Vgs(th)2.0..4.0 В
Базовий номер продуктуSIHP22N60E
Вага9,0E-6 кг
ДизайнОдинокий
ідентифікатор виробникаSIHP22N60E-GE3
КаліфікаціяСтандарт
Код ТН ВЕД85412900
МатеріалSi
МoдельTrenchFET
ОсобливістьВН 600 В
ВиробникНАЙКРАЩИЙ
РежимПоліпшення
Спосіб кріпленняTHT
Температурний діапазон-55..+150
ТехнологіяN-канальний
ТипМОП-ТРАНЗИСТОР
Вугс±30 В
Форма монтажаTO-220
Інформація для замовлення
  • Ціна: 495 ₴