MOSFET, одноканальний, 650 В, 46 А, 227 Вт, 0,045 R, TO247
1 229 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 238750784
Відправка з 13 вересня 2026
650V CoolMOS™ C7 Power MOSFET
особливості
- Підвищена надійність MOSFET dv/dt
- Краща ефективність завдяки найкращим у своєму класі FOM RDS(on)*Eoss та RDS(on)*Qg
- Найкращий у класі RDS(увімкнено)/пакет
- Простота використання/керування
- Безсвинцеве покриття, безгалогенна формувальна суміш
- Кваліфіковано для промислового застосування відповідно до JEDEC (J-STD20 і JESD22)
переваги
- Підвищення ефективності системи
- Забезпечення більш високих частот / підвищеної щільності потужності
- Економія вартості / розміру системи завдяки зменшенню потреб в охолодженні
- Вища надійність системи завдяки нижчим робочим температурам
програми
Каскади ШІМ і каскади ШІМ з жорстким перемиканням, наприклад, для обчислювальної техніки, серверів,
Телекомунікації, ДБЖ та сонячна енергетика.
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | ТО-247 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IPW65R045C7FKSA1 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | Силовий МОП-транзистор |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 650 В |
| Ідентифікатор | 46,00 А |
| Загальна кількість | 227 Вт |
| RDS (увімкнено) | 40 мОм |
| тд (увімкнено) | 20 |
| тд (вимкнено) | 82 |
| Зворотне стягнення | 13000 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 3,0..4,5 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | HV 600V |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002572431 |
| Id | 46.00 А |
| Ptot | 227 W |
| RDS (вмик.) | 40 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 650 V |
| Vgs(th) | 3.0..4.5 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 82 |
| td (on) | 20 |
| Базовий номер продукту | IPW65R045C7FKSA1 |
| Вага | 0,006 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IPW65R045C7FKSA1 |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | Силовий МОП-транзистор |
| Особливість | ВН 600 В |
| Плата за зворотне відновлення | 13000 нК |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | THT |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | ТО-247 |
- Ціна: 1 229 ₴