MOSFET, N-канальний, 600 В, 22 А, 110 Вт, 0,099 R, TO247

600V CoolMOS™ C7 Power MOSFET

особливості
- Підходить для жорсткого та м'якого перемикання (PFC та високоефективні LLC)
- Підвищена стійкість MOSFET dv/dt до 120 В/нс
- Підвищена ефективність завдяки найкращим у своєму класі FOM RDS(on)*Eoss та RDS(on)*Qg
- Найкращий у класі RDS(увімкнено)/пакет
- Кваліфіковано для промислового застосування відповідно до JEDEC (J-STD20 і JESD22)

переваги
- Підвищена економія від масштабу завдяки використанню топологій PFC та ШІМ у додатку
- Вища межа dv/dt забезпечує більш швидке перемикання, що призводить до більшої ефективності
- Підвищення ефективності системи завдяки зниженню втрат на комутацію
- Рішення зі збільшеною щільністю потужності завдяки меншим корпусам
- Підходить для таких застосувань, як серверні, телекомунікаційні та сонячні системи
- Можливі більш високі частоти перемикання без втрати ефективності завдяки низьким значенням Eoss і Qg

програми

• Каскади PFC і ШІМ (TTF, LLC) для високої потужності/продуктивності
• SMPS, наприклад, обчислювальні, серверні, телекомунікаційні, ДБЖ та сонячні батареї.