Транзистор Дарлінгтона, NPN, 120В, 30А, 200Вт, TO-3
532 ₴
Показати оптові ціни- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 3502673602
Відправка з 13 вересня 2026
Транзистор Дарлінгтона, NPN, 120В, 30А, 200Вт, TO-3Під замовлення
532 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Сильнострумові комплементарні кремнієві транзистори
. . . . для використання в якості вихідних пристроїв для додаткових підсилювачів загального призначення.
- Високе посилення постійного струму -
- hFE = 1000 (хв) @ IC - 20 Adc
- Монолітна конструкція з вбудованим шунтом база-емітер
Опір
- температура переходу до +200°C
| Генерал | |
| Тип | Силовий транзистор |
| Дизайн | NPN-Darl |
| Технологія | NPN |
| Форма кріплення | ТО-3 |
| Електричні показники | |
| Уцео | 120 В |
| Ік | 30 A |
| Загальна кількість | 200 Вт |
| hFE | >1000 |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | ONSEMI |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900000511029 |
| Ic | 30 А |
| Ptot | 200 Вт |
| RoHS | відповідати |
| Uceo | 120 V |
| hFE | >1000 |
| Вага | 0,018 кг |
| Дизайн | NPN-Darl |
| ідентифікатор виробника | MJ11016G |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Технологія | NPN |
| Тип | Силовий транзистор |
| Форма монтажа | TO-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 532 ₴