Модуль енергонезалежної пам’яті FRAM 256 Кбіт/32 Кбайт

опис

FRAM (фероелектрична оперативна пам'ять) — це сучасна енергонезалежна пам'ять, яка поєднує переваги SRAM (дуже висока швидкість читання та запису) з довговічністю Flash/EEPROM. Використання сегнетоелектричного шару замість традиційного діелектрика дозволяє зберігати дані без живлення та записувати їх практично миттєво.

Цей модуль FRAM взаємодіє через шину I2C та ідеально підходить для малопотужних конструкцій, реєстраторів даних, кешування даних та застосувань з нестабільними джерелами живлення. На відміну від EEPROM та Flash, пам'ять FRAM не потребує обслуговування сторінок та характеризується надзвичайно високою кількістю циклів запису.

Властивості

• Тип пам'яті: FRAM (фероелектрична оперативна пам'ять)
• Місткість: 256 кбіт/с (32 кБ)
• Інтерфейс зв'язку: I2C
• Максимальна швидкість I2C: до 1 МГц
• Термін зберігання даних: до 95 років (за кімнатної температури)
• Витривалість: до 10¹³ циклів запису на байт
• Напруга живлення та логічна напруга: 3 В або 5 В (сумісна з 5 В)
• Без обмежень сторінок пам'яті (запис побайтово)
• Розміри: 15,5 × 20 × 2 мм
• Відстань між монтажними отворами: 14 мм
• Вага: 1,2 г
• Форм-фактор: плата для роз'ємів, сумісна з макетною платою

В комплекті

• I2C 256 Кбіт (32 КБ) модуль FRAM на коммутаційній платі
• Золота шпилька 0,1 дюйма (штекер) для самостійного спаювання