Низковольтный MOSFET/IGBT 1-канальный 1/2A SOIC-8
228 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 3716988534
Отправка с 27 сентября 2026Низковольтный MOSFET/IGBT 1-канальный 1/2A SOIC-8Под заказ
228 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
MC33153DR2G із сімейства MC33153 є нижньою стороною IGBT-Gate-Treiber для IGBT, MOSFET, біполярного транзистора. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1 A Source / 2 A Sink. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend, Desaturation-/Overcurrent-Sense, UVLO, Fault/Protection-Funktionen. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40+105 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
| Генерал | |
| Тип | Ґейт-Трайбер |
| Модель | Низькочастотний IGBT-дротовий затвор |
| Дизайн | інвертування |
| Технологія | IGBT, MOSFET, біполярний транзистор |
| Форма кріплення | SO-8 |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -40..+105 |
| Реалізація | |
| Канали | 1 |
| Стиль монтажу | SMD |
| Електричні показники | |
| Піковий струм джерела | 1 A |
| Піковий струм стоку | 2 A |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | ONSEMI |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004368575 |
| RoHS | соответствовать |
| Вес | 0,001 кг |
| Дизайн | инвертирующий |
| Идентификатор производителя | MC33153DR2G |
| Каналы | 1 |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85423990 |
| Мoдель | Нижний затвор IGBT-транзистора |
| Пиковый ток источника | 1 A |
| Пиковый ток стока | 2 A |
| Способ крепления | SMD |
| Температурный диапазон | -40..+105 |
| Технология | IGBT, MOSFET, биполярный транзистор |
| Тип | Драйвер затвора |
| Форма монтажа | SO-8 |
Информация для заказа
- Цена: 228 ₴