Флэш-память NOR 8 Мб, 1,65...1,95 В, SPI 40 МГц, SO-8

Послідовний флеш-накопичувач 8 Мбіт 1,8 В SPI

Опис:
SST25WF080B належить до сімейства мікросхем Serial Flash 25 Series і має чотирипровідний SPI-сумісний інтерфейс, що дозволяє створювати компактні корпуси з малою кількістю виводів, які займають менше місця на платі і, в кінцевому підсумку, знижують загальну вартість системи. Послідовна флеш-пам'ять SPI виготовляється за запатентованою високопродуктивною технологією CMOS SuperFlash. Конструкція комірки з розділеними затворами та інжектор тунельного тунелювання з товстого оксиду забезпечує кращу надійність і технологічність порівняно з альтернативними підходами. Цей послідовний флеш-пам'ять значно підвищує продуктивність і надійність, знижуючи при цьому енергоспоживання. Пристрій здійснює запис (програмування або стирання) за допомогою одного джерела живлення 1,65-1,95 В. Загальна споживана енергія залежить від напруги, струму і часу подачі живлення. Оскільки для будь-якого діапазону напруг технологія SuperFlash використовує менший струм для програмування і має менший час стирання, загальна енергія, що споживається під час будь-якої операції стирання або програмування, є меншою, ніж в альтернативних технологіях флеш-пам'яті. SST25WF080B випускається в 8-вивідних SOIC і 8-контактних корпусах USON. Призначення виводів показано на малюнку 2-1.

Особливості
- Операції читання та запису з однією напругою - 1,65-1,95 В
- Архітектура послідовного інтерфейсу - Сумісність з SPI: режим 0 та режим 3
- Високошвидкісна тактова частота - 40 МГц
- Підтримка двох входів/виходів
- Інструкція швидкого зчитування з двома виходами (3BH)
- Інструкція подвійного вводу/виводу зі швидким зчитуванням (BBH)
- Вища надійність
- Витривалість: 100 000 циклів
- Понад 20 років зберігання даних
- Надзвичайно низьке енергоспоживання:
- Активний струм зчитування: 4 мА (типовий)
- Струм очікування: 7 мкА (типовий)
- Струм глибокого вимкнення живлення: 2 мкА (типовий)
- Гнучка можливість стирання
- Рівномірні сектори по 4 Кбайт
- Уніфіковані блоки накладання розміром 64 Кбайт
- Режим сторінкового програмування - 256 байт/сторінку
- Швидке стирання та програмування сторінок:
- Час стирання мікросхеми: 500 мс (типовий)
- Час стирання сектора: 40 мс (типовий)
- Час стирання блоку: 80 мс (типовий)
- Час виконання сторінки-програми: 0,8 мс/256 байт (типовий)
- Виявлення кінця запису - Програмне опитування біта BUSY у регістрі стану
- PIN-код утримання (HOLD#) - Призупинення послідовного зв'язку без скасування вибору пристрою
- Захист від запису (WP#)
- Вмикає/вимикає функцію блокування регістру стану
- Захист від запису програмного забезпечення
- Захист від запису через біти Block-Protection у регістрі стану
- Діапазон температур
- Промислове: від -40°C до +85°C
- Розширений діапазон: від -40°C до +125°C
- Кваліфікація AECQ-100
- Доступні пакети
- 8-свинцева SOIC (150 міліметрів)
- 8-контактний USON (2 мм x 3 мм)
- Усі пристрої відповідають вимогам RoHS