NOR флэш-память 32 МБ, 2,3 В, последовательный порт, SPI, 85 МГц, SOL-8

Флеш-пам'ять, Serial-NOR, 32 Мбіт, SPI, SOL-8 0.208", 85 МГц, 8192 сторінки x 528 байт

Характеристики:

- Напруга живлення 2.3В - 3.6В

- Сумісність з послідовним периферійним інтерфейсом (SPI)
- Підтримує режими SPI 0 і 3
- Підтримує роботу RapidS™

- Можливість безперервного зчитування по всьому масиву
- До 85 МГц
- Можливість зчитування з низьким енергоспоживанням до 15 МГц
- Час від запуску до виходу (tV) максимум 6 нс

- Розмір сторінки, що визначається користувачем
- 512 байт на сторінку
- 528 байт на сторінку (за замовчуванням)
- Розмір сторінки може бути попередньо налаштований на заводі на 512 байт.

- 2 незалежні буфери даних SRAM (512/528 байт)
- Дозволяє отримувати дані під час перепрограмування основного пристрою пам'яті

- Гнучке програмування
- Байт/сторінка програми (від 1 до 512/528 байт) безпосередньо в основну пам'ять
- запис у буфер
- Буферизація в основну пам'ять сторінки програми

- Гнучкі можливості видалення
- Видалення сторінки (512/528 байт)
- Видалити блок (4KB)
- Видалити сектор (64KB)
- Видалення мікросхеми (32-Мбіт/с)

- Призупинити / відновити програмування та видалення

- Удосконалені апаратні та програмні засоби захисту даних
- Захист індивідуального сектору
- Індивідуальний блок секторів, щоб зробити кожен сектор назавжди захищеним від запису.

- 128-байтовий регістр безпеки OTP (одноразово програмований)
- 64 байти, запрограмовані на заводі з унікальним ідентифікатором
- 64 байти, що програмуються користувачем

- Апаратні та програмні можливості скидання

- Ідентифікатор виробника та пристрою за стандартом JEDEC

- Низьке розсіювання енергії
- Струм надглибокого вимкнення живлення 400 нА (типовий)
- Струм глибокого вимкнення живлення 3 мкА (типовий)
- Струм очікування 25 мкА (типовий)
- 7 мА Активний струм зчитування (типовий)

- Термін служби: 100 000 циклів програмування/стирання на сторінку

- Зберігання даних: 20 років

- Відповідає всьому промисловому діапазону температур

- Зелений (не містить Pb/галогенідів/відповідає вимогам RoHS)

- дизайн корпусу
- 8-контактний SOIC (ширина 0,208")