Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 17.09)

+380 (99) 330-24-88
Інтернет - магазин "Vevor"
Корзина

MOSFET, N-канальный, 500 В, 22 А, 312,5 Вт, корпус TO-220

382 ₴

Показать оптовые цены
  • Под заказ
  • Оптом и в розницу
  • Код: 1470062503
clockОтправка с 23 сентября 2026
MOSFET, N-канальный, 500 В, 22 А, 312,5 Вт, корпус TO-220Под заказ
382 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Силовий МОП-транзистор
UniFET II

UniFET™ II MOSFET — це серія високовольтних MOSFET від Fairchild Semiconductor, що базується на вдосконаленій планарній смуговій технології та DMOS.
Ця вдосконалена серія MOSFET має найменший опір у увімкненому стані серед усіх планарних MOSFET, а також пропонує чудові характеристики перемикання та вищу енергію лавинного розряду. Крім того, внутрішній ESD-діод затвор-витік означає, що MOSFET UniFET II може витримувати ударне навантаження понад 2 кВ HBM. Ця серія пристроїв підходить для імпульсних джерел живлення, таких як корекція коефіцієнта потужності (PFC), блоки живлення телевізорів для плоских екранів (FPD), ATX та баласти електронних ламп.

Додатки

  • РК/LED/PDP телевізор
  • Освітлення
  • Джерело безперебійного живлення
  • Джерело живлення змінного/постійного струму
Генерал
Технологія N-канал
Форма кріплення ТО-220
Дизайн Неодружений
Базовий номер продукту ФДП22Н50Н
Тип МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель ПауерТренч
Режим Покращення
Кваліфікація Стандартний
Електричні показники
УДС 500 V
Ідентифікатор 22.00 А
Загальна кількість 312,5 Вт
RDS (увімкнено) 185 мОм
тд (увімкнено) 22
тд (вимкнено) 48
Зворотне стягнення 6500 нКл
Ugs ±30 В
Vgs(th) 3,0..5,0 В
Інше
Температурний діапазон -55..+150
Реалізація
Стиль монтажу ТТТ.
Матеріал Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість ні
Технічні характеристики виробника
Виробник ONSEMI

 

MOSFET, N-канальний 500 В 22 А 312,5 Вт, TO-220
Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Размеры
Вес0.0028 кг
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN9900003791275
Id22.00 А
Ptot312,5 Вт
RDS (вкл.)185 мОм
RoHSсоответствовать
UDS500 V
Vgs(th)3.0..5.0 В
td (off)48
td (on)22
Базовый номер продуктаFDP22N50N
ДизайнОдинокий
Идентификатор производителяFDP22N50N
КвалификацияСтандарт
Код ТН ВЭД85412900
МатериалSi
МoдельPowerTrench
ОсобенностьНет
Плата за обратное восстановление6500 нКл
РежимУлучшение
Способ крепленияTHT
Температурный диапазон-55..+150
ТехнологияN-канальный
ТипМОП-ТРАНЗИСТОР
Угс±30 В
Форма монтажаTO-220
Информация для заказа
  • Цена: 382 ₴