MOSFET, N-канальный, 600 В, 11 А, 125 Вт, сопротивление 0,38 Ом, корпус TO-220

Силовий МОП-транзистор
SUPERFET FRFET MOSFET

SUPERFET MOSFET – це перше покоління сімейства високовольтних MOSFET-транзисторів на суперпереході (SJ) від Fairchild Semiconductor, які використовують технологію вирівнювання заряду для забезпечення видатної продуктивності з низьким опором у відкритому стані та меншим зарядом затвора. Ця технологія розроблена для мінімізації втрат у лінії та забезпечення чудової комутаційної продуктивності, швидкості dV/dT та вищої енергії лавинного випромінювання. Тому SUPERFET MOSFET ідеально підходить для імпульсних силових застосувань, таких як PFC, блоки живлення серверів/телекомунікацій, блоки живлення телевізорів FPD, блоки живлення ATX та промислові блоки живлення. Оптимізована рекуперативна потужність діода в корпусі SUPERFET FRFET® MOSFET усуває необхідність у додаткових компонентах та підвищує надійність системи.

Особливості

• 650 В при ТДж = 150°C
• Типовий RDS(увімк.) = 320 мОм
• Тип швидкого відновлення
• Надзвичайно низький заряд затвора (зазвичай Qg = 40 нКл)
• Низька ефективна вихідна ємність (зазвичай Coss(eff.) = 95 пФ)
• 100% протестовано на стійкість до лавин
• Відповідає вимогам RoHS

• РК/LED/PDP телевізор
• Сонячний інвертор
• Освітлення
• Джерело живлення змінного/постійного струму