MOSFET, N-канальный, 600 В, 22 А, 205 Вт, сопротивление 0,165 Ом, корпус TO-247
388 ₴
Показать оптовые цены- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 114985275
Отправка с 23 сентября 2026MOSFET, N-канальный, 600 В, 22 А, 205 Вт, сопротивление 0,165 Ом, корпус TO-247Под заказ
388 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Силовий МОП-транзистор
СУПРЕМОС
MOSFET SUPREMOS® – це наступне покоління технології високовольтних суперпереходів (SJ) від ON Semiconductor з глибоким заповненням траншей, що відрізняється від традиційних MOSFET SJ.
Ця передова технологія та точне керування процесом забезпечують найнижчий відповідний опір у увімкненому стані, відмінну комутаційну продуктивність та надійність. MOSFET-транзистори SUPREMOS підходять для високочастотних імпульсних джерел живлення, таких як PFC, джерела живлення для серверів/телекомунікацій, джерела живлення для телевізорів FPD, джерела живлення ATX та промислові джерела живлення.
Особливості
- 650 В при ТДж = 150°C
- Типовий RDS(увімк.) = 140 мОм
- Надзвичайно низький заряд затвора (зазвичай Qg = 45 нКл)
- Низька ефективна вихідна ємність (зазвичай Coss(eff.) = 196,4 пФ)
- 100% протестовано на стійкість до лавин
- Не містить свинцю та відповідає вимогам RoHS
Додатки
- Плазмовий телевізор
- Сонячний інвертор
- Джерело живлення змінного/постійного струму
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | ТО-247 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | ФЧ22Н60Н |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | Силовий МОП-транзистор |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 600 V |
| Ідентифікатор | 22.00 А |
| Загальна кількість | 205 Вт |
| RDS (увімкнено) | 165 мОм |
| тд (увімкнено) | 16.9 |
| тд (вимкнено) | 49 |
| Зворотне стягнення | 6000 нКл |
| Ugs | ±30 В |
| Vgs(th) | 3,0..5,0 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | HV 600V |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | ONSEMI |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003791152 |
| Id | 22.00 А |
| Ptot | 205 Вт |
| RDS (вкл.) | 165 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 600 V |
| Vgs(th) | 3.0..5.0 В |
| td (off) | 49 |
| td (on) | 16.9 |
| Базовый номер продукта | FCH22N60N |
| Вес | 0,007 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | FCH22N60N |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | Силовой МОП-транзистор |
| Особенность | ВН 600В |
| Плата за обратное восстановление | 6000 нКл |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | THT |
| Температурный диапазон | -55..+150 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±30 В |
| Форма монтажа | ТО-247 |
Информация для заказа
- Цена: 388 ₴