MOSFET N-канальный + Z-диод 1000 В 6,5 А 1,6 Ом TO220
233 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 1925753789
Отправка с 23 сентября 2026N-КАНАЛЬНИЙ 1000V - 1.60R - 6.5A - TO-220
Захищений стабілітроном MOSFET SuperMESH™
Опис
Серія SuperMESH™ отримана завдяки екстремальній оптимізації добре зарекомендувавшої себе схеми PowerMESH™ від ST. Окрім значного зниження опору увімкнення, особлива увага приділяється забезпеченню дуже хороших характеристик du/dt для найвимогливіших застосувань. Така серія доповнює повний асортимент високовольтних MOSFET від ST, включаючи революційні продукти MDmesh™.
Особливості:
- Надзвичайно висока здатність до dv/dt
- 100% стійкість до лавини
- Покращена стійкість до електростатичних розрядів
- Дуже низька власна ємність
Додатки
- Застосування для високого струму, комутації
- Ідеально підходить для автономних джерел живлення
| Генерал | |
| Технологія | N-Ch+Z-Dio |
| Форма кріплення | ТО-220 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | STP8NK100Z |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | МОП-транзистор STPOWER |
| Режим | Немає класичних MOSFET/перехідників |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 1000 V |
| Ідентифікатор | 6,50 А |
| Загальна кількість | 160 Вт |
| RDS (увімкнено) | 1,6 Ом |
| тд (увімкнено) | 28 |
| тд (вимкнено) | 59 |
| Зворотне стягнення | 5300 нКл |
| Ugs | ±30 В |
| Vgs(th) | 3,0..5,0 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС |
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002573926 |
| Id | 6.50 А |
| Ptot | 160 Вт |
| RDS (вкл.) | 1,6 Ом |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 1000 V |
| Vgs(th) | 3.0..5.0 В |
| td (off) | 59 |
| td (on) | 28 |
| Базовый номер продукта | STP8NK100Z |
| Вес | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | STP8NK100Z |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | МОЩНЫЙ MOSFET |
| Плата за обратное восстановление | 5300 нК |
| Режим | Неклассический MOSFET / проверка |
| Способ крепления | THT |
| Температурный диапазон | -55..+150 |
| Технология | N-Ch+Z-Dio |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±30 В |
| Форма монтажа | TO-220 |
- Цена: 233 ₴