MOSFET N-канальный + Z-диод, 800 В 12 А, сопротивление Rdson 0,37 Ом, корпус TO-220

N-канальний 800 В, типовий 0,37 Ом, 12 А, потужні МОП-транзистори MDmesh™ K5
у D²PAK, TO-220FP, TO-220 та TO-247

Опис:
Ці N-канальні потужні MOSFET-транзистори дуже високої напруги розроблені з використанням технології MDmesh™ K5 на основі інноваційної запатентованої вертикальної структури. Результатом є значне зниження опору увімкненого стану та наднизький заряд затвора для застосувань, що вимагають високої щільності потужності та високої ефективності.

Особливості:
- Найнижчий у галузі показник RDS(on) x площа
- Найкращий у галузі показник FoM (показник якості)
- Надзвичайно низький заряд затвора
- 100% протестовано на стійкість до лавин
- Захищений стабілізатором напруги

Заявки:
- Перемикання додатків