MOSFET, N-канальный, 100 В, 180 А, сопротивление 0,0047 Ом, D²Pak
231 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 4075788293
Отправка с 23 сентября 2026MOSFET, N-канальный, 100 В, 180 А, сопротивление 0,0047 Ом, D²PakПод заказ
231 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
HEX-транзистор силовий MOSFET
Особливості
- Покращена стійкість до стробу, лавинного стиснення та динамічної dv/dt стійкості
- Повністю охарактеризована ємність та лавинна SOA
- Покращена здатність dv/dt та dl/dt корпусного діода
- Без свинцю
Додатки
- Високоефективне синхронне випрямлення в SMPS
- Джерело безперебійного живлення
- Високошвидкісне перемикання живлення
- Апаратне високочастотне перемикання
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | D2PAK |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFS4010 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 100 V |
| Ідентифікатор | 180,00 А |
| Загальна кількість | 375 Вт |
| RDS (увімкнено) | 0,0047 Ом |
| тд (увімкнено) | 21 |
| тд (вимкнено) | 100 |
| Зворотне стягнення | 210 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003812789 |
| Id | 180.00 А |
| Ptot | 375 W |
| RDS (вкл.) | 0,0047 Ом |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 100 V |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| td (off) | 100 |
| td (on) | 21 |
| Базовый номер продукта | IRFS4010 |
| Вес | 0,0015 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRFS4010TRLPBF |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особенность | Низкое сопротивление RDSon 5 мОм |
| Плата за обратное восстановление | 210 нК |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | SMD |
| Температурный диапазон | -55..+175 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | D2PAK |
Информация для заказа
- Цена: 231 ₴