MOSFET N-канальный 60 В 120 А 0,0024 Ом, D²Pak
210 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 2555817819
Отправка с 23 сентября 2026MOSFET N-канальный 60 В 120 А 0,0024 Ом, D²PakПод заказ
210 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
HEXFET Power MOSFET
програми
- Високоефективне синхронне випрямлення в SMPS
- Джерело безперебійного живлення
- Високошвидкісне перемикання живлення
- Жорстко комутовані та високочастотні схеми
переваги
- Покращена стійкість до воріт, лавини та динамічного dV/dt
- Повністю охарактеризована ємність і лавинний SOA
- Покращені можливості корпусних діодів dV/dt та dI/dt
- без свинцю
- Відповідає вимогам RoHS, не містить галогенів
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | D2PAK |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFS3206TRR |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 60 В |
| Ідентифікатор | 120,00 А |
| Загальна кількість | 300 W |
| RDS (увімкнено) | 2,4 мОм |
| тд (увімкнено) | 19 |
| тд (вимкнено) | 55 |
| Зворотне стягнення | 41 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Размеры | |
| Вес | 0.0015 кг |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002547859 |
| Id | 120.00 А |
| Ptot | 300 Вт |
| RDS (вкл.) | 2,4 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 60 V |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 55 |
| td (on) | 19 |
| Базовый номер продукта | IRFS3206TRR |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRFS3206TRRPBF |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особенность | Низкое сопротивление RDSon 5 мОм |
| Плата за обратное восстановление | 41 nC |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | SMD |
| Температурный диапазон | -55..+175 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | D2PAK |
Информация для заказа
- Цена: 210 ₴